锑化镓，化学式为GaSb，是一种III-V族化合物半导体材料。它具有优异的电学性能和热学性能，在光电子学、微电子学、红外探测等领域有广泛的应用。本文将介绍锑化镓的基本性质、制备方法、应用以及未来发展方向。 1. 基本性质 锑化镓是一种黑色晶体，密度为5.61 g/cm³，熔点为712℃。它具有较大的禁带宽度（0.72 eV），高的电子迁移率（8000 cm²/Vs）和空穴迁移率（400 cm²/Vs），以及良好的热导率和热膨胀系数。这些性质使得锑化镓成为一种优秀的光电子材料。 2. 制备方法